تکه هایی از این پایان نامه :

2-3  آرایه های مکمل

قبل از اینکه به بحث آرایه­های مکمل بپردازیم، ساختارهای دیگری را معرفی می­کنیم. در این ساختارها به جای بهره گیری از آرایه­ای با اجزاء دوقطبی با جریان الکتریکی، می­توان از آرایه­ای با اجزاء شکاف با جریان مغناطیسی بهره گیری نمود. همانطور که قبلا تصریح گردید، این نوع از آرایه­ها نیز می توانند به دو صورت فعال و غیر فعال تحریک شوند. تفاوت اساسی بین حالت­های دوقطبی و شکاف این می باشد که در حالت اول جریان­های الکتریکی روی سیم­-

شکل 2-8   ساختارهای  متناوب هادی­ها با (الف ) حالت غیرفعال، (ب) حالت فعال [1]

های دوقطبی تحریک می­شوند در صورتی که در حالت شکاف در تئوری ما، جریانهای مغناطیسی را تحریک می­کنیم اما جریان­های مغناطیسی در اقدام  وجود ندارند. پس به جای جریان مغناطیسی از ارتباط­ای که معادل با این جریان­ها می باشد، بهره گیری می­کنیم:

(2-4)                                                                  ×       =

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

در ارتباط بالا،  شدت میدان الکتریکی روی شکاف­ها و    بردار واحد عمود بر سطح ساختار می باشد. اگر میدان الکتریکی در دوقطبی و میدان مغناطیسی در شکاف را با هم مقایسه کنیم، خواهیم دید که این دو حالت کاملا شبیه به هم و مکمل‌ هم هستند.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید: